5月28日下午，王浩敏客座教授受聘仪式暨学术报告会在湘湖校区图书馆三楼报告厅举行。副校长冯浩出席，材料学院院长李月明主持仪式。

冯浩首先对王浩敏受聘为我校客座教授表示热烈的欢迎和衷心的感谢。他指出，王浩敏教授瞄准石墨烯研究的国际前沿，围绕石墨烯在微电子应用面临的主要科学问题进行持续创新，他的研究经历与科研精神值得我们学习。王浩敏教授的到来，也为我校的学科建设与人才培养增添一份力量。随后，冯浩为王浩敏颁发聘书并佩戴校徽。

受聘仪式结束后，王浩敏教授作了题为《六角氮化硼表面石墨烯边界调控与纳米带制备》的学术报告。他为在座师生讲解了制作石墨烯纳米带的技术原理与所需环境，并对氮化硼表面石墨烯生长的特性与调控方式进行了重点讲述。他指出，加入适量硅烷催化可以促进表面石墨烯生长，在氮化硼表面刻蚀沟槽则对石墨烯纳米带的调控起到积极作用。他谈到，石墨烯如果能运用到电子器件，发挥出其特性，人们的生活将会又一次发生改变。

讲座最后，王浩敏与现场师生进行了互动交流，就大家提出的有关问题一一作了解答。

王浩敏，1999年、2002年先后获华中科技大学工学学士和硕士学位。2009年于新加坡国立大学电气与电脑工程系获博士学位。2011年加入信息功能材料国家重点实验室，现任研究员。2004年以来，瞄准石墨烯研究的国际前沿，围绕石墨烯在微电子应用面临的主要科学问题进行持续创新，探索其微电子学应用的发展方向及技术路线，拓展其在集成电路、计量等领域的应用，在石墨烯纳米带制备及其器件方面形成特色研究。在Nat. Mater.,Nat.Comm.,Nano Lett.， ACS Nano,Nanoscale，APL等刊物上发表论文30余篇，总它引3600次。授权国内专利26件，国际专利3件。作为负责人和项目骨干承担国家重大专项、国家自然科学基金、中科院重点部署项目、中科院战略性先导专项项目课题、国家重点研发计划项目等多项科研项目。